Prototipo cella fotoelettrica(aggiornato 29/03/15 ) 11/12/14 23/10/13 26/9/13
http://en.wikipedia.org/wiki/Band_gap
http://en.wikipedia.org/wiki/Shockley%E2%80%93Queisser_limit
http://it.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://en.wikipedia.org/wiki/Pyrite
https://www.hzdr.de/db/Pic?pOid=38570
https://encrypted-tbn1.gstatic.com/images?q=tbn:ANd9GcQ0lHBqYNqxc1QcczKpbG60okwqis7sar3zoPnlXpY0_QGqRVwg3w
http://pubs.rsc.org/services/images/RSCpubs.ePlatform.Service.FreeContent.ImageService.svc/ImageService/Articleimage/2013/NR/c3nr01998e/c3nr01998e-f6.gif
http://www.ewi.tudelft.nl/fileadmin/Faculteit/EWI/Over_de_faculteit/Afdelingen/Electrical_Sustainable_Energy/EEC/PVMD/research/img/ADEM.JPG
http://www.intechopen.com/source/html/38725/media/image17.jpeg
http://iopscience.iop.org/1347-4065/46/7L/L667
/d1/img1.jpg
/d1/img2.jpg
/d1/img2.gif
/d1/img4.JPG
/d1/img5.jpeg
The energy that the divice can be captured is proportional to bandgap large between two semi conductor
junction, can be not a narrow band gap, can be a large with an help elettric field to sostain the higher gap.
Can be Si-AlN p-n junction.
il ridotto effetto fotovoltaico AlN a 3,6 eV indica che il materiale non è opaco alla radiazione luminosa.
http://elektron28701.xoom.it/d1/Mietze%20-%20pss%20(c)%20-%20201000838%20(2011).pdf
http://en.wikipedia.org/wiki/Wave_function
http://en.wikipedia.org/wiki/Tunnel_diode
http://it.wikipedia.org/wiki/Effetto_tunnel
http://it.wikipedia.org/wiki/Eterogiunzione in PbS con canale MOSFET
<----
http://elektron28701.xoom.it/d1/James.pdf
si elettrodeposita silano e ossigeno con il procedimento chemical vapor deposition su di un supporto di alluminio per costruire un cristallo di silicio con inclusi atomi di ossigeno, regolando la quantità di ossigeno si cambia il gap del semiconduttore da 1.11 a 9, l'ultimo strato di semiconduttore utilizza solo silano, al posto del ossigeno può essere utilizzata NH3, per formare un cristallo di silicio a più strati con inclusioni di azoto gap 5. Il metodo di elettrodeposizione è quello utilizzato per la costrizione delle celle in nitruro di silicio a due strati che hanno efficienza 20%, lo stesso procedimento può utilizzare idruro di stagno e silano per i gap da 0 a 1.11 in modo da costruire un cristallo di silicio con inclusioni di stagno.... è possibile elettrodepositare del carburo di silicio, che ha colore nero per evitare la riflessione della luce solare, in questo modo la superficie della cella è nera anzichè essere blu grigia o bianca, la giunzione carburo di silicio ultimo semiconduttore, è una giunzione inversa che non conduce, per permettere la conduzione serve 'realizzare un canale fet' http://elektron28701.xoom.it/d1/Senza%20titolo-6.jpg, il dispositivo è per questo un concentratore solare, che permette la conduzione tra semiconduttori disposti con un gap inverso dal senso della corrente. Si può non utilizzare i semiconduttori a base stagno che ha un basso punto di fusione, caricando le celle con un potenziale di 1.11 volt, gap del silicio riferito al ground terreno, per adesso è sufficiente farò sapere in seguito come costruire pannelli fotovoltaici senza avere a disposizione determinati semiconduttori con determinati gap o come costruire pannelli anzichè concentratori
funzionamento
l'orbitale di conduzione attrae sull'atomo gli elettroni che hanno
abbastanza energia,
quando gli elettroni di un semiconduttore
all'interno del dispositivo raggiungono l'energia del orbitale di
conduzione
generano una corrente, sul semiconduttore a gap minore,
in questo modo il semiconduttore a gap minore possiede sempre il
potenziale corrispondente al
suo gap. A questo punto avviene un
altro fenomeno fisico, gli elettroni possiedono un potenziale nei
confronti del semiconduttore a gap più alto, e perciò
si genera una corrente attraverso il circuito verso il semiconduttore
a gap più alto. A questo punto interviene un altro fenomeno, i
nuclei dei semiconduttori sono stabili nei pressi del livello di
conduzione, e perciò generano un potenziale dai semiconduttori
a gap più basso verso i semiconduttori a gap più alto,
il potenziale all'interno dei semiconduttore cresce fino ad
interessare quello a gap minore successivo. Il dispositivo si
stabilizza e funziona con i potenziali dei semiconduttori posizionati
al di sopra del livello di conduzione.
La
figura indica il potenziale della cella solare riferito al ground
terra, e i potenziali dei due semiconduttori, si mette in luce che i
tre potenziali permettono nel primo
semiconduttore agli elettroni
di muoversi dentro i margini individuati dal potenziale riferito al
ground terra e il primo potenziale creato dai semiconduttori a gap
più elevato.
Questo ad indicare che anche nel primo
semiconduttore gli elettroni si muovono senza superare i livelli
energetici e dissipare la loro energia in calore, perché
vincolati da energie esterne
Questa
figura rappresenta i semiconduttori aventi lo stesso gap di
potenziale in volt dell'ampiezza della componente in frequenza del
segnale del campo elettronico della nube di elettroni seguente la
forma della radiazione elettromagnetica, ad indicare che ogni
semiconduttore cattura l'energia di ampiezza della frequenza
corrispondete, escludendone gli altri poiché non arriva ad
attivare l'orbitale di conduzione corrispondente.
La distanza
in volt del gap, corrisponde all'ampiezza dell'onda di data
frequenza, 'coincidendo con la lunghezza caratteristica dell'onda',
si instaura un fenomeno di risonanza, la frequenza prende il nome di
frequenza caratteristica e il sistema particellare inizia a emettere
energia in un range di frequenze prossime alla frequenza
caratteristica o di risonanza.
Se si somma il potenziale di
terra a il potenziale dell'onda si ottiene il potenziale del gap, ciò
significa che l'energia dell'onda viene catturata dall'orbitale,
indipendentemente dal potenziale esterno dei diversi
semiconduttori che, contribuisce a mantenere il potenziale del campo
elettrico dei semiconduttori al punto di
conduzione, ma non
influisce in alcun modo sull'ampiezza del segnale elettrico dell'onda
che misura sempre l'altezza del gap, fisicamente lo si può
immaginare,
come che il potenziale dei diversi semiconduttori
contribuisca ad aumentare la densità della nube elettrica nel
dispositivo, aumentandone la capacità di carica,
il numero
degli elettroni e la loro suddivisione tra i diversi semiconduttori,
ma questo potenziale 'esterno' pur facendo variare la capacita di
carica tra
i semiconduttori e perciò il numero di
elettroni sugli atomi e fuori dagli atomi, non modifica il potenziale
elettrico dell'onda di elettroni,
che è sempre uguale
all'entità del campo elettrico della radiazione
elettromagnetica.
Creando un campo elettrico attorno ad un
semiconduttore è possibile creare un potenziale interno che
dalla sorgente del campo si propaga in tutto il
semiconduttore
interessato aumentandone il potenziale di terra, il segnale elettrico
amplificato per via della distanza del terra-gap,
aumenta non
immediatamente fino a raggiungere il punto di conduzione senza far
schiantare gli elettroni sul semiconduttore seguente e trasformare la
propria energia in calore,
questo meccanismo spiega la risposta
spettrale delle celle fotovoltaiche.
Utilizzando fogli di
grafene a doppio strato è possibile realizzare pannelli
SiOx/Si/SiC in cui la
conduzione nell'ultimo strato di
semiconduttore è resa possibile dal campo applicato tra lo
strato di
semiconduttore precedente e il secondo strato di grafene
posto subito dopo quello utilizzato per la
conduzione del
SiC.
Schema
di funzionamento del canale fet p omologo del fet canale n, quando
come in questo caso la
densità del campo elettrico del
semiconduttore centrale raggiunge la densità dei
semiconduttori
laterali, il canale conduce, analogamente nel fet a
canale n.
Questo schema indica che anche nelle celle Si/SiOx/SiC o
SiOx/Si/SiC è possibile realizzare la
conduzione
sull'ultimo semiconduttore mediante il canale creato da un campo
elettrico applicato tra
lo strato precedente al semiconduttore SiC
e lo strato di grafene o di quarzo.
Si aggiungono più
strati di grafene per cambiare il potenziale agli altri strati di
semiconduttori nello
stesso modo, ma è superfluo avendo già
molti strati in SiOx, importante invece è cambiare
il
potenziale di terra dei pannelli in questo caso, in modo da far
funzionare il pannello al di sotto degli
1,11 volt soglia di
funzionamento del silicio, così come nei concentratori
solari.
Nei concentratori solari è possibile applicare
un diodo subito prima del semiconduttore a gap più
elevato
in modo a poter caricare con un campo elettrico anche l'ultimo
semiconduttore, senza
caricare con lo stesso potenziale anche il
primo semiconduttore, posto all'altro lato del circuito.
Aumentando
il potenziale sul semiconduttore a gap più elevato si aumenta
il potenziale esterno applicato sui semiconduttori a gap minore, in
questo modo è possibile aumentare il campo con il quale gli
elettroni sono tenuti sull'atomo dei semiconduttori, e
conseguentemente il loro range di lavoro, anche quando non si ha a
disposizione un semiconduttore a gap elevato è possibile
aumentare il gap massimo complessivo del dispositivo, e poi andare a
regolare i potenziali di terra per i singoli semiconduttori, tenendo
questa volta in considerazione del diverso potenziale esterno
applicato sui semiconduttori, come indicato nelle
figure
http://elektron28701.xoom.it/d1/Untitled-11.jpg
http://elektron28701.xoom.it/d1/mnbn-1.jpg
Serve
variare la concentrazione di ossigeno negli strati intermedi di
ossido di silicio,
tenendo la concentrazione sul 20-40% di quella
che serve per formare il diossido di
silicio
http://spie.org/x104834.xml
Costruiamo
pannelli a più strati di ossido di silicio, poi con strato in
carburo di silicio, concentratori fet. Volevo porre l'attenzione sui
concentratori fet a giunzione inversa che che permettono la
conduzione tra ossido di silicio e lo strato nero di carburo di
silicio capace di riflettere meno radiazione elettromagnetica.
http://dailyfusion.net/2013/11/24-efficiency-achieved-for-n-type-silicon-solar-cell-25345/
Applicando un campo elettrico su una fascia limitata attorno
ad un semiconduttore di un concentratore solare è possibile
diminuire la concentrazione di elettroni sul settore delimitato dalla
fascia e conseguentemente il potenziale sugli elettroni del
semiconduttore, in questo modo è possibile regolare il
potenziale di terra di un particolare
semiconduttore.
http://elektron28701.xoom.it/d1/Untitled-12.jpg
Le
cellule in ossido di silicio hanno un rendimento del 100% se
costruite con un concentratore in
carburo di silicio se
costituite da più strati e se caricate con un potenziale di
1.11 volt riferito al ground terreno, in maniera intermedia le
cellule in nitruro di silicio.
Nella seguente cella
fotoelettrica http://elektron28701.xoom.it/d1/Untitled-11.jpg
Il
potenziale applicato sui semiconduttori è sempre quello
esterno, perciò per condurre il semiconduttore del
concentratore deve superare la soglia del potenziale esterno mediante
un meccanismo di risonanza. Il punto di funzionamento tra un
semiconduttore e l'altro adiacente comunque è determinato da
l'altezza del gap del semiconduttore, in cui l'onda viene generata,
la densità degli elettroni di questo gap effettivamente può
essere variata applicando un campo fet tra il semiconduttore in
considerazione e quello successivo, applicando il campo fet non si
cambia il potenziale dell'onda nel semiconduttore, ma si cambia il
punto di funzionamento tra un semiconduttore e quello successivo,
come che se si cambierebbe l'altezza del gap, applicare un campo fet
tra un semiconduttore e quello successivo, si traduce in una
variazione dell'altezza del gap del semiconduttore in considerazione,
facendo variare la frequenza dello spettro sulla quale la potenza
verrà assorbita.
Costruiamo pannelli in un unica cella
multi giunzione SiOx/Si o SiNx/Si con elettrodi elettro depositai in
alluminio
http://www.laserfocusworld.com/articles/2013/12/nist-researchers-achieve-chip-scale-bidirectional-optical-frequency-conversion-between-980-and-1550-nm.html
E'
possibile costruire pannelli con quarzo sintetico al posto del
grafene, avente un gap di 9
eV
http://elektron28701.xoom.it/d1/Synthetic-Quartz-Crystal-Vogel-Artificial-Crystal-Wand.jpg
http://en.wikipedia.org/wiki/Quartz
http://www.qiaj.jp/pages/frame20/images/fig21-07_1-e-240x344.png
http://www.qiaj.jp/pages/frame20/page01-e.html
http://www.alibaba.com/product-detail/Synthetic-Quartz-Glass-for-Photomasks_216799613/showimage.html
http://ntopts.en.alibaba.com/product/586131495-205055002/fused_silica_optics_glass.html
http://www.advantivtech.com/wafers/quartz-wafers.html
Prendiamo in considerazione un treno di semiconduttori, applichiamo alla fine del treno sull'ultimo semiconduttore un generatore di potenziale e all'altro lato del generatore, una piastra di un condensatore posta questa volta distaccata dai semiconduttori alla testa del treno. Quando il generatore viene acceso con la generazione di qualche volt, si genera un campo elettrico tra la piastra del condensatore fino all'ultimo semiconduttore, il campo elettrico si attenua percorrendo l'ultimo semiconduttore, essendo, l'altro oggetto di estremità tra cui il campo viene creato. Cosa succede a questo punto, Se si paragona il modello creato al modello rappresentato in figura http://upload.wikimedia.org/wikipedia/it/5/50/MOSFET_schema.png, ci sono delle analogie, e in fatti quello che si tenta di dimostrare, sarà a punto che il modello in considerazione funziona nello stesso modo del modello rappresentato in figura, si dice che uno è un caso particolare, l'altro è un modello generale. Se non consideriamo i semiconduttori precedenti all'ultimo semiconduttore potremmo dire che ci ritroviamo nel modello rappresentato in figura, differenziandoci da quest'ultimo solamente per la presenza del semiconduttore aria al posto del solido isolante, applicando i due semiconduttore p ai lati dell'ultimo semiconduttore possiamo dire che i modelli sono identici. A qusto punto si spiega il funzionamento dei due modelli, ed essendo il medesimo caso generale il funzionamento di uno replica il funzionamento dell'altro. Prendiamo un elettrone posto al limite di contatto con il successivo semiconduttore dell'ultimo semiconduttore e facciamoci percorrere per vi del generatore il conduttore fino alla piastra del condensatore, come si può immaginare, per effetto del gap tra il semiconduttore ultimo e quello successivo il flusso elettrico non riesce ad attrarre gli elettroni dei successivi semiconduttori, per via che nella ipotesi in cui sono collegati non permettono il passaggio di corrente dalla testa del treno verso il fondo. A qusto punto si genera il modello del condensatore in cui la superficie limite dell'ultimo semiconduttore rappresenta una estremità ad una piastra di un condensatore e l'altra piastra è fisicamente presente all'altra estremità, in questo modello, il modello di carica nel n è rappresentato esattamente. Per via della carica sulle piastre cosa succede a questo punto, che un semiconduttore perde all limite di contatto o aumenta in base alla direzione di potenziale del generatore, densità di carica, e perciò si forma al limite del ultimo semiconduttore o un canale di tipo n per eccesso di elettroni o un canale di tipo p per eccesso di lacune, causa l'inconduttività dovuta al senso di conduzione dei semiconduttori, si potranno accumulare o elettri o lacune. A questo punto ci troviamo identicamente nel caso di funzionamento del transistore fet, cioè abbiamo creato un canale di tipo n o p tra un semiconduttore è quello successivo, la formazione del corretto canale per via della inconduttività dei semiconduttori, porterà alla successiva conduttività della giunzione, a questo punto lo stesso fenomeno accade per il semiconduttore successivo. In questo modo possiamo cambiare il punto di conduzione di un treno di semiconduttori posizionando un generatore e una piastra tra i semiconduttori interessati a variare il punto di funzionamento. Ponendo più treni di conduzione in un senso del treno o nell'altro sarà a questo punto possibile per mezzo della sovrapposizione degli effetti regolare il canale di un singolo semiconduttore annullando le modifiche sui semiconduttori successivi per mezzo dello stesso sistema applicato al semiconduttore successivo. Questo lo si può fare in un senso del treno per i limiti da un lato dei semiconduttori e nell'altro senso del treno per regolare i canali nell'altro senso del treno. In questo modo è possibile regolare il punto di funzionamento di tutti e due i gap al contatto tra un semiconduttore e quello adiacente, in questo modo è possibile regolare il punto di conduzione in entrambi i sensi di conduzzione in particolare di due semiconduttori e generalmente del treno di semiconduttori. A questo punto di funzionamento della giunzione sarà solamente descritto dal potenziale in volt applicato ai lati della giunzione, seguenti la teoria di conduzzione delle giunzioni.
Teoria delle giunzioni:
La conduzzione avviene sempre dal lato
n direzione p eccetto quando o si trova un eccesso di elettroni sul
lato p o un eccesso di lacune sul lato n, allorché la
giunzione funziona prima riducendo la propria resistenza, poi
funzionando come una giunzione inversa pn anziché np. Il punto
di transizione è descritto dal superamento del potenziale di
carica al limite del semicoduttore confrontato con il potenziale di
densità elettrica dall'altro lato sull'altro adiacente
semiconduttore misurato dai gap dei
semiconduttori.
http://www.gizmag.com/graphene-solar-cell-record-efficiency/30466/
SiOx
http://e-collection.library.ethz.ch/eserv/eth:28482/eth-28482-02.pdf
Il diagramma di rendimento in funzione della frequenza della
radiazione elettromagnetica, segue la teoria, si attendono ulteriori
sperimentazioni, è possibile costruire una cella a più
strati di ossido di silicio SiOx/Si
nel collegamento un
prototipo di
cella
http://www.nanotech-now.com/news.cgi?story_id=48818
http://www.products.cvdequipment.com/products/pecvd/in_product3/
Sono
vicini a costruire una cella fotoelettrica con un rendimento dell
100% ma devono sostituire lo strato di nanotubi di carbonio con il
carburo di silicio, e il potenziale che genera la cella in ossido di
silicio indica che ci sono pochi strati di semiconduttore, ha già
comunque 0,55 volt, costruitela con uno strato di quarzo, i nano tubi
di carbonio fanno da schermo, non è un termosifone e bianca
riflette.
Se
aggiungete più strati di SiNx a diversa concentrazione alle
celle in nitruro di silicio è possibile aumentare il
rendimento sopra il 20%.
Se
aggiungete più strati di SiOx a diversa concentrazione alle
celle in ossido di silicio è possibile aumentare il rendimento
sopra il 20%.
Nel prototipo di cellula fotovoltaica sono utilizzati nanotubi di
carbonio, i nanotubi di carbonio hanno dei legami che sono a metà
tra quelli del diamante e quelli della grafite, è possibile
che lungo la direzione corrispondente alla lunghezza dei nanotubi il
materiale abbia un gap corrispondente a quello del diamante e perciò
è possibile utilizzare lo strato di quarzo.
Nulla
i nanotubi di carbonio se non hanno una barriera di potenziale con il
semiconduttore perfetta, saturano il campo di moto e dissipano sui
legami di wander walls.
Realizzate il prototipo con i nanotubi di
carbonio e con il carburo di silicio, bianco e blu, e con il solfuro
di piombo e Iron(II) oxide.
http://pveducation.org/pvcdrom/design/arc-color
http://onlinelibrary.wiley.com/store/10.1002/adma.201204192/asset/image_n/ncontent.gif?v=1&s=d8588593df60defae2969fccdfd2365788bb9cf9
deposizione
di leghe di piombo e di altri metalli su strati di
silicio
immagini
https://www.google.com/search?safe=off&hl=it&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1366&bih=667&q=pbs+si&oq=pbs+si&gs_l=img.3..0i19l6.2029.8303.0.9730.6.6.0.0.0.0.91.506.6.6.0....0...1ac.1.32.img..0.6.504.o5JvfUZorqM#hl=it&q=pb+si+chemical+vapor+deposition&sa
http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10832-005-6582-4#page-1
http://www.photonics.com/Article.aspx?AID=55897
http://dailyfusion.net/2014/02/theoretical-limit-of-light-absorption-in-solar-cells-almost-reached-26942/
Per
prendere il 100% su tutte le frequenze basta aggiungere più
strati a concentrazione diversa di ossido di silicio.
Ci sono
materiali che non sono giuntabili perché troppo ad alta
temperatura di elettrodeposizione, come le leghe di rame, alluminio,
zinco, ferro per questi materiali è possibile l'accostamento,
lo zinco per esempio è elettrodepositabile
http://onlinelibrary.wiley.com/store/10.1002/adma.201204192/asset/image_n/ncontent.gif?v=1&s=d8588593df60defae2969fccdfd2365788bb9cf9
anche
il nitruro di alluminio è
elettrodepositabile
http://www.fis.cinvestav.mx/~smcsyv/supyvac/9/sv908299.pdf
il
ferro
http://iopscience.iop.org/0022-3727/page/Large-scale%20synthesis%20of%20nanowires
rame
http://www.ing.unitn.it/~colombo/METALLIZZAZIONI_IN_RAME/11-depocvdpvd.htm
Le
pile ad idrogeno con rendimento 100%.
Le nuove batterie al sodio
clorururo di tionnile, elettrolita cloruro di alluminio.
Le nuove
batterie al sodio ferro perclorato, elettrolita cloruro di alluminio,
solventi propylene carbonate, dioxolane, dimethoxyethane.
Usiamo
la leva.
Accostiamo i semiconduttori.
Provate ad accostare i
semiconduttori diversi e a variarne il potenziale tra i
semiconduttori, forse non serve una giunzione, ma basta una
accostamento.
Costruiamo le macchine elettriche.
Aumentiamo la
produzione di fotovoltaico di cinque volte.
Elettrodeposizioni di
diversi
materiali:
https://graphene-supermarket.com/Silicon-Silicon-dioxide-wafer-4-Diameter.html
http://www.acsmaterial.com/product.asp?cid=112&id=139
http://www.products.cvdequipment.com/applications/siliconoxides/1/
http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/theory/oxide.html
https://www.bo.imm.cnr.it/site/node/213
http://www.eagle-regpot.eu/EfI/index.php?pid=16&l=en
http://www.eagle-regpot.eu/EfI/index.php?pid=23&l=en
http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/kaneka-and-imec-hit-2268-percent-heterojunction-cell-efficiency_100007305/#axzz2xkFZvLfF
http://www.pv-tech.org/news/fraunhofer_ise_develops_24_low_cost_n_type_solar_cell_with_topcon_passivati
http://www.csawards.net/shortlist/2013
aluminum
nitride
wafer
http://www.i-micronews.com/upload/Micronews/images/10-8-6-Sapphire-sml.jpg
http://www.azom.com/news.aspx?newsID=40929
Importante. Elettrodepositando ossido di silicio cristallino a
concentrazione diversa su di un supporto di alluminio seguito da uno
strato di silicio è possibile aumentare il gap del dispositivo
da 1,11 a 9.
In questo modo è possibile aumentare il
rendimento del dispositivo.
Questo è il diagramma di stato
della lega silicio ossido di silicio
http://it.wikipedia.org/wiki/Regola_della_leva
cvd iron
oxide
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cm0601990
http://en.wikipedia.org/wiki/Iron_tetracarbonyl_hydride
fotovoltaico
in ossido di silicio uno strato, è possibile aumentare il
rendimento aumentando il numero degli
strati:
http://www.alibaba.com/product-detail/5inch-Tabbed-Mono-Crystalline-Silicon-Solar_462960958.html
google
immagini: silicon dioxide photovoltaic
google immagini: silicon
oxide photovoltaic
confronto lo spettro del fotovoltaico in ossido
di silicio con quello in nitruro di silicio:
elektron28701.xoom.it/d1/JAC
M6SR-3 (Cypress2)
(1).pdf
http://www.nanoscalereslett.com/content/pdf/1556-276X-7-124.pdf
(importante documento)
diminuzione della
riflettanza:
http://www.solarnovus.com/low-temp-thin-film-production-with-laser-doping_N7303.html
http://openi.nlm.nih.gov/detailedresult.php?img=3337243_1556-276X-7-193-3&req=4
google
immagini: siox
photovoltaic
http://specmat.com/solar%20cell%20specmat.html
http://www.mpg.de/482718/pressRelease20030826?filter_order=L
http://iopscience.iop.org/0022-3727/46/2/024003/article
https://www.youtube.com/watch?v=YUZWI8IuMYY
http://en.wikipedia.org/wiki/Resonance
http://www.vindico.info/PDF/PP%20Vindico%20PV+%28v5%29.pdf
http://www.opticsinfobase.org/oe/fulltext.cfm?uri=oe-19-7-6563&id=211246
pannelli fotovoltaici con ossido di
silicio:
http://oilprice.com/Latest-Energy-News/World-News/New-Solar-Cell-Boasts-High-Efficiency-Lower-Cost.html
http://www.pv-tech.org/news/back_contact_hit_solar_cell_from_panasonic_pushes_efficiency_record_to_25.6
pannelli fotovoltaici con
quarzo:
http://cleantechnica.com/2014/06/20/solar-cell-efficiency-boosted-much-50-new-optical-element/
pannello fotovoltaico in
FeSi:
http://iopscience.iop.org/1347-4065/46/7L/L667
pannello
con passivazione in ossido di silicio, il primo pannello ad ossido di
silicio a concentrazione variabile formato da uno strato a diversa
concentrazione ha un discreto
rendimento:
http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/imec-lifts-the-hood-on-its-record-setting-pert-solar-pv-cell_100015710/#axzz37ZW2AbTs
silicon
carbide photovoltaic:
-------------------
Camion elettrici: si risparmia sul costo del
carburante
dal 50% al 75% d’estate e com pile ad
idrogeno
http://portoflosangeles.org/environment/etruck.asp
Costruiamo le batterie per le auto elettriche
pecvd
http://www.archivesmse.org/vol46_2/4621.pdf
Potete comprare fotovoltaico cinese con gli incentivi per risanare
l’economia.
Renzi e Grillo non fanno niente mandateli pure a
casa.
SiOx
photovoltaic
http://scholar.google.com/scholar_url?hl=it&q=http://www.researchgate.net/publication/259638580_TOWARDS_20__EFFICIENT_N-TYPE_SILICON_SOLAR_CELLS_WITH_SCREEN-PRINTED_ALUMINIUM-ALLOYED_REAR_EMITTER/file/60b7d52cfe1b167a3d.pdf&sa=X&scisig=AAGBfm28p3HGraoJJ-Khuov3Sghp_pZO6w&oi=scholarr
http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/copper-for-silver-cell-swap-expected-to-be-commercialized-sooner-than-expected_100005092/#axzz3E7hLN6Rx
SiCx
photovoltaic
http://www.ise.fraunhofer.de/de/veroeffentlichungen/konferenzbeitraege/2009/24th-european-photovoltaic-solar-energy-conference-and-exhibition-hamburg-germany/suwito_2dv.1.61.pdf
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1320025
Potete utilizzare anche questa batteria:
NaFeCl3
== Na + FeCl3
http://www.google.com/patents/US4707423
Bus ad idrogeno con le nuove pile ad
idrogeno:
http://www.thejournal.co.uk/business/business-news/newcastle-registered-proton-power-trial-hydrogen-7706276
aumento del rendimento della cella
peltier
http://it.wikipedia.org/wiki/Cella_di_Peltier
sembra che ci siano
riusciti:
http://www.ahmedabadmirror.com/others/scitech/Petrol-based-fuel-cells-increase-efficiency/articleshow/38206156.cms
http://www.therepublic.com/view/story/0edd85e5f3464794ab68c81b56eb4ac6/NY–GE-Fuel-Cell
https://news.wsu.edu/2014/06/16/wsu-researchers-develop-fuel-cells-for-increased-airplane-efficiency/#.VBWbkhaTllp
http://www.sciencenewsline.com/summary/2014061617540015.html
IQE ed EQE del
SiOx
http://www.isfh.de/institut_solarforschung/files/kranz_27eupvsec_2012.pdf
Elettro deposizione
SiOx
http://iopscience.iop.org/1347-4065/36/7B/L939
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=6376079
Una figura del
SiOx:
http://www.tudelft.nl/en/current/latest-news/article/detail/quantumproces-in-silicium-nanokristallen-haalt-meer-energie-uit-zonlicht/
Un cristallo
grigio:
http://www.solarserver.com/solar-magazine/solar-news/current/2014/kw35/pv-rd-crystal-solar-and-nrel-team-up-to-cut-silicon-solar-cell-costs.html
Sommiamo
il pannello grigio in FeSi con quello perc.
Aggiungete altri
strati passivanti al pannello perc cambiando la concentrazione dello
strato passivante.
Costruiamo il fotovoltaico, e anche le batterie sodio cloruro di
tionnile che fanno risparmiare e le auto elettriche tesla.
Make a
Lithium Thionyl Chloride Battery
E anche le batterie sodio ferro
perclorato.
http://prod.sandia.gov/techlib/access-control.cgi/2001/012191.pdf
Il
perclorato ferrico ha formula Fe(ClO4)3 cioè non ha molto
ferro perciò non pesa molto.
Facendo i conti sull’energia
che consumiamo c’è la faciamo del doppio.
Occorre
costruire lo stabilimento fotovoltaico è stringente, prima lo
costruite meno spendete.
Non vi preoccupate basta per tutti. Dovete poggiare gigawatt di
energia.
I soldi per gli investimenti sono tanto maggiori quanto
la durata dell’ investimento.
In realtà il costo
dell’elettricità ricade sugli altri costi.
Passera le
mie proposte le ho elencate. Renzi, concentrati sulle coperture e
sulle auto elettriche.
Costruiamo questo fotovoltaico:
http://www.pv-tech.org/news/solaytec_and_meco_technology_used_in_imecs_record_21.5_n_type_pert_solar_ce
Per
rendere economico mandare a casa i clandestini servono le
coperture.
Lo stabilimento costa poco, quanto un supermercato, man
mano che viene costruito genera reddito.
Se ci sbrighiamo
riusciamo a risolvere tutto. Non sprechiamoli, investiamoli nel
fotovoltaico, il tempo di costruzione dell’ impianto, meno
impiegate più risparmiate. No solo investimenti che generano
reddito in ordine di redditività. Il probrelma è dare i
soldi per fare le cose corrette, come in cina e negli stati uniti.
Renzi approviamo questa riforma, non facciamo figure di merda, anche
quelle sulle macchine elettriche.
L’unico modo per riavviare
la crescita è approvare il prima possibile lo stabilimento,
non preoccupatevi che il metodo è efficace. Prima serve il
fotovoltaico poi le auto elettriche, ma non bisogna perdere tempo,
utilizzate il fotovoltaico pert 21,5%, potete anche inziarle a
costruire le auto elettriche.
Le piante non si ammalano, usate i
loro anticorpi, utilizzate le lampade uv.
Renzi sbrigati ad
approvare questo stabilimento.
Costruiamo la macchina del tempo:
http://elektron28701.xoom.it/d2/motore_a_campo_magnetico_indotto.html
Ragazzi
ma vi rendete conto che si trata di uno stabilimento grande solo
quanto un supermercato, autofinanziato che spendete più a
parlarne che a realizzarlo.
Vi fidate del fotovoltaico pert
21,5%.
Costruiamo il fotovoltaico 17% in nitruro di silicio il
prima possibile.
Chi conosce il meccanismo della scala mobile,
solo il fotovoltaico può invertire la spirale prezzi
salari.
Fate qualcosa anche per l’ilva, ma non dimenticatevi
dell’economia.
Ragazzi ma vi rendete conto che si tratta di uno stabilimento grande solo quanto un supermercato, autofinanziato che spendete più a parlarne che a realizzarlo.
Per il fotovoltaico 21.5%: 0.215 x 230 [w/m^2] x 150.000 x 150.000
[m^2]= 1.112,625 [gigawatt] cioè 1.112,625 [gigawatt] ogni 150
[km^2]
Fabbisognio di elettricità dell’Italia:
http://www.terna.it/DesktopModules/GraficoTerna/GraficoTernaEsteso/ctlGraficoTerna.aspx?sLang=it-IT
L’esposizione
solare media: http://it.wikipedia.org/wiki/Energia_solare
Dite
alla Merkel che qua i conti non tornano
http://www.gse.it/it/Pages/default.aspx
Solo
18,216 gigawatt da fotovoltaico contro i 32 italiani utilizzati.
Se non vi sbrigate ci portate voi alla banca rotta.
Costruiamo
il fotovoltaico 17% o 21.5% perc.
Non aspettiamo Settembre.
Il
problema è che non c’è tempo da perdere e 3 mesi
di vacanza non erano messi in conto.
toward more efficient solar
cell:
http://phys.org/news/2014-08-efficient-solar-cells.html
Perché Renzi, non fate un decreto salva ilva prima
di andare in vacanza.
Utilizzate questo compressore
stirling negli impianti dell’ilva per liquefare la
co2:
http://www.stirlingcryogenics.com/products/Cryocoolers/
Pensavo a far circolare in dei condotti raffreddati da azoto liquido, la co2 e se non si sporcano troppo poi pulirli con del vapore. In fine raccoglere la co2 in un serbatoio.
O in seconda alternativa far gorgogliare la co2 attraverso l’azoto
liquido in un recipiente, far solidificare la co2, rimuoverla e poi
pulire il recipiente con vapore.
Si può osservare se la co2
galleggia o si deposita in basso nell’azoto liquido e poi la si
può rimuovere con un pala o sollevandola con un griglia
filtrante, dovrebbe diventare come neve, tutto qui non penso sia più
complesso. E’ possibile isolare il tubo e riscaldarlo per
l’immissione della co2 in modo da non far ghiacciare la co2
all’interno tenendolo a una temperatura superiore ai -45 gradi,
nel secondo caso, disponendo i fori verso il basso.
provate questa
batteria:
https://www.google.com/search?q=naclo4&safe=off&client=firefox-a&rls=org.mozilla:it:official&channel=np&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ei=YZLlU6qmC6bB7Aa3_IHYDQ&ved=0CAYQ_AUoAQ&biw=1138&bih=548
forse
per stabilizzarla serve aggiungere del ferro NaClo4 + Fe < =>
Na + Fe(ClO4)3
se no si ha questa reazione NaClo4 + H2O< =>
Na + HClo4 + O2 e si perde l’ossigeno
Renzi urgentemente valuta di costruire in africa i
pannelli in nitruro di silicio al 17% e i pannelli con passivazione
in ossido di silicio al 21,5%. Non costa niente è
autofinaziante l’impianto. Se costruiamo anche una nave ad
idrogeno criogenico, risparmiamo anche sul cherosene.
Raddoppiamo
la capacità produttiva di fotovoltaico cinese.
In questo
link c’è la capacità istallata di fotovoltaico
fino ad oggi
http://www.pv-tech.org/guest_blog/case_study_of_a_growth_driver_silver_use_in_solar
se
la compariamo con la capacità eolica 7,3% del totale si deduce
quanta enrgia elettrica serve:
http://www.rinnovabili.it/energia/eolico/eolico-2018-elettricita-666/
Ma
a me lo volete dare un lavoro? Istallate fotovoltaico 17% che basta.
Le stime sono solo 5 volte superiori all’Europa 5000 gw azichè
1000, abbiamo la Cina, l’America del nord del sud, l’Iran.
Se
non trovate una soluzione adesso non so più cosa fare.
Ma
Renzi si rende conto che il 94% della nostra spesa corrente non è
coperta.
I pannelli con passivazione in ossido di silicio non si sà
quanto durano perciò come fonte di energia primaria li
sconsiglio, al massimo come fonte di energia secondaria, anche perchè
non trovo notizie sulla loro durata, compreso, non sò magari
funzionano.
Non poi ridurre da 1000 gg a la fine dell’anno,
velocizzando la costruzione degli impianti, procediamo veloci senza
far deragliare il treno, così riduciamo al minimo anche i
costi che aumentano con il tempo impiegato.
Su forza attuate le
riforme.
Vi mostro i pannelli al 21,5% con passivazione in
ossido di
silicio:
http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/imec-lifts-the-hood-on-its-record-setting-pert-solar-pv-cell_100015710/#axzz39gSC7QgR
e
quelli al 17% in nitruro di
silicio:
https://www.google.com/search?q=silicon+nitride+photovoltaic&safe=off&client=firefox-a&hs=oLd&rls=org.mozilla:it:official&channel=sb&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ei=NBjjU8aSDImI7AbjioDYDA&ved=0CAgQ_AUoAQ&biw=1138&bih=548#channel=sb&q=silicon+nitride+photovoltaic+alibaba&rls=org.mozilla:it:official&safe=off&tbm=isch
farvi cambiare testa è peggio di manovrare il titanic
90
% di nitruro di silicio
10 % di Perc per iniziare poi se danno
buona durata ne aumentimo la percentuale.
Fate le riforme che ne
uscite velocemente.
Il tasso di produzione di fotovoltaico è
basso.
IL nitruro di silicio è un materiale stabile.
Mentre
il perc dovrebbe durare abbastanza a lungo, dipende da quanto e
spesso il pannello.
Dipente quando poggiate il primo gigawatt non
cinese.
Scendere dal 94% di spesa pubblica basta poco aumentando
la prorduzione di fotovoltaico.
Fate presto ad istallare il primo
gigawatt. Ed i camion all’idrogeno.
Ma basta aumentare la
produzione di fotovoltaico di 20 volte per risolverla nel giro di un
anno.
Bravo per adesso l’efficacia è pari a 0.
Forza costruiamo questi panneli fotovoltaici.
Prendiamo questa batteria
http://prod.sandia.gov/techlib/access-control.cgi/2001/012191.pdf
essa
è idrofobica, proviamoci allora a cambiare il solvente,
anziche usare h2o utilizzimo acune tra i solventi indicati:
nessun
solvente
Propylene carbonate
dioxolane
dimethoxyethane
sodium
tetrachloroaluminate
tyonil cloride
Le maggiori cause di disfunzionamento del sistema
propulsivo dell’aereo cesna e piper sono:
1 le
candele sporche
2 la pompa del combustibile
per ovviare a
questi inconvenienti nel primo caso si può facilmente misurare
la corrente verso le candele per poi visualizzarne l’accensione
con 8 led sul cruscotto.
Per la seconda è opportuno
misurare il numero di giri della pompa del combustibile e ridondarla.
Funziona anche con il sodio, è una batteria litio
cloruro di thionile:
https://www.youtube.com/watch?v=zTmp07tY9wQ
La
Tesla sta costruendo un impianto per la produzione di batterie a
basso costo.
Con una macchina elettrica si può risparmiare
dal 50% a 75% del costo del carburante.
Renzi potrebbe costruirle
anche in europa, si potrebbe così integrare la batteria
alluminio aria.
Che ne pensate di costruire una auto con queste
batterie, con i costi del carburante si venderebbe, poi le aziende in
difficoltà economica potrebbero prestare i loro macchinari per
poi essere ripagate alla vendita.
Forza Renzi cerchiamo di raggiungere degli obbiettivi.
Potete elettro depositare il ferro silicio sul pannello in ossido
di silicio e costruire un pannello con rendimento più
alto.
Potete variare la concentrazione degli strati di ossido di
silicio nel pannello in ossido di silicio, ulteriormente aumentandone
il rendimento.
Altra cosa che si può fare è seguire le istruzioni su elektron28701.xoom.it/d1/FIII.html dove è spiegato come costruire dispositivi fotovoltaici con semiconduttori con gap diversi, i gap tra le giunzioni vengono regolati con appositi potenziali. Tutto ben spiegato non si deve aggiungere altro. I semiconduttori possono essere ricavati dalle loro fasi vapore come descritto. Credo sia tutto.
SiNx l’aumento del
rendimento:
http://www.intechopen.com/books/photodiodes-from-fundamentals-to-applications/fabrication-of-crystalline-silicon-solar-cell-with-emitter-diffusion-sinx-surface-passivation-and-sc
Costruite gli elettro depositori sotto un capannone, gli elettrodepositori non costano niente e pure il capannone, costruite il capannone per l’assemblaggio dei pannelli anche quello costa poco, ed ecco con poco costo realizzata la riforma economica. I materiali per realizzare la riforma non costano.
Pannello fotovoltaico in ossido di titanio solfuro di piombo a
giunzione
inversa.
http://thevarsity.ca/2014/07/20/study-u-of-t-researchers-create-new-nanoparticle-using-photovoltaics/
Poichè è un poco esteso il campo fotovoltaico
l’unica accortezza è di aumentare l’impianto
produttivo.
La crisi si interrompe nel momento in cui installate
il primo gigawatt fotovoltaico, percio prima installate l’impianto
prima risolvete.
Avete visto la foto di un campo da mezzo
gigawatt, è due campi da calcio, anche solo mezo gigawatt
cambierebbe la situazione.
Secondo me quando avrete istallato il
vostro primo gigowatt farete i salti di gioia. Ne serervono solo 40
per la bolletta elettrica e 100 in totale perciò pochi
relativamente.
Renzi costruiamo il motore a campo magnetico
indotto.
http://elektron28701.xoom.it/d2/motore_a_campo_magnetico_indotto.html
Renzi sbrigati fai presto, c’è qualcosa che non è chiaro?
AVVISO: Un pannello a piu strati SiOx SiNy è gia stato
costruito, ma i risultati non sono stati pubblicati:
http://www.nanoscalereslett.com/content/pdf/1556-276X-7-124.pdf
google;
siox sinx efficiency
google: siox sinx
Molte le ricerche,
nessuna foto di modello definitivo, su forza serve un modello.
Qui
ho trovato dei rendimenti elevati:
http://isfh.de/institut_solarforschung/files/kranz_27eupvsec_2012.pdf
Forza
Renzi sollecito la costruzioni di pannelli con passivazione a più
strati migliore.
Il mio consiglio è costruire i pannelli 17% in nitruro di silicio e le batterie al sodio cloruro di tionnile e le batterie alluminio aria.
Altri pannelli sono questi ma non so quanto convengano per via della durata: http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/imec-lifts-the-hood-on-its-record-setting-pert-solar-pv-cell_100015710/#axzz37o3mNf2X
I pannelli della panasonic 25.6% contengono una zona p fatta da elementi costosi, perciò se è così non conviene produrli, accertatevene voi, i 17% vanno bene. http://www.pv-tech.org/news/back_contact_hit_solar_cell_from_panasonic_pushes_efficiency_record_to_25.6
IMPORTANTE: Costruiamo le batterie per bici e auto elettriche, costano niente sodio cloruro di tionnile eletrolita sodio tetracloro alluminate, si risparmiano un sacco di soldi, anticipiamo la riforma. http://img-europe.electrocomponents.com/images/R0593473-03.jpg
Pannello con passivazione in ossido di silicio, il primo pannello
ad ossido di silicio a concentrazione variabile formato da uno strato
a diversa concentrazione ha un discreto
rendimento:
http://www.pv-magazine.com/news/details/beitrag/imec-lifts-the-hood-on-its-record-setting-pert-solar-pv-cell_100015710/#axzz37ZW2AbTs
Serve
aumentare il numero degli strati passivanti.
Pannello fotovoltaico in
FeSi:
http://iopscience.iop.org/1347-4065/46/7L/L667
Il fotovoltaico con 17% di rendimento è metastabile cioè non si deteriora nel tempo, di seguito il motivo:http://www.mpg.de/482718/pressRelease20030826?filter_order=L
http://cleantechnica.com/2014/06/20/solar-cell-efficiency-boosted-much-50-new-optical-element/
cvd
http://www.energyharvestingjournal.com/articles/new-optical-element-sorts-sunlight-for-solar-cell-efficiency-00006638.asp
http://unews.utah.edu/news_releases/boosting-solar-cell-efficiency/
Depositate una lega a piu strati a concentrazione intermedia di
ossiggeno e silicio su di un supporto di alluminio, che si conclude
con uno strato di silicio, questo dispositivo è in grado di
avere un rendimento più elevato. Depositate sopra piu strati
di FeSi e concludete con uno strato di carburo di sillicio.
Posizionate il dispositivo policromat tra lo strato di carburo di
silicio e l’ultimo strato di FeSi.
In questo modo otterrete
un dispositivo fotovoltaico avente il 100% di rendimento.
In teoria poi con la variazione del potenziale dei semiconduttori è possibile fare qualunque cosa. I semiconduttori si elettrodepositano su qualsiasi semiconduttore o metallo. I semiconduttori impiegati possono essere elettrodepositiati dalla loro fase gassosa. SiH4 CH4 H2O PbCl FeCl NH4 AlCl SH2
Renzi che aspetti a fare le riforme, della riforma del senato non
ci facciamo niente, perdi solo tempo.
Su forza costruiamo questo
impianto fotovoltaico al 17% e al 25,6%, serve un decreto legge.
SI
legge? Si può elettrodepositare l’
FeSi:
http://www.researchgate.net/publication/13283084_Band_structure_and_semiconducting_properties_of_FeSi
Non c’è nessun limite riguardo al fotovoltaico con
rendimento 100%.
Per il fotovoltaico 17%: 0.17 x 230 [w/m^2] x
150.000 x 150.000 [m^2]= 879,75 [gigawatt] cioè 879,75
[gigawatt] ogni 150 [km^2]
L’Italia consuma 40 gigawatt di
elettricità peso che consumi totalmente 100 gw considerati i
trasporti e riscaldamento.
C’è a disposizione tutto
lo spazio disponibile esclusi i deserti sabbiosi.
Riguardo ai
limiti temporali il 17% non ha scadenza, mentre il 25,6% 15 20 anni
se non si aumenta lo spessore dello strato passivante.
TESI:
Se con un campo governo la distanza del punto di valenza
nel semiconduttore N misurato rispetto al punto di conduzione sul
semiconduttore N allora con l'altro campo stabilisco il livello di
conduzione del semiconduttore P, la differenza tra le tensioni da il
punto di conduzione.
Al momento della conduttività si può
pensare alla giunzione come continua, perché creata da una
miscela di componenti che variano linearmente la propria
concentrazione. La giunzione può essere considerata una
giunzione continua.
La condizione di continuità determina
che localmente la densità del campo elettrico siano le stesse
da un lato della giunzione che dall'altro. Al punto di conduzione
perciò il livello di valenza delle due giunzioni coincide con
il livello di conduzione del Conduttore N. Dato che l'unico dato
libero è il livello di conduzione del semiconduttore P, la
seconda variabile costituita dal secondo campo elettrico andrà
a modificare proprio il livello di conduzione del semiconduttore P.
Al fine della conduzione interessa la somma dei due campi.
http://journal.hep.com.cn/foe/EN/10.1007/s12200-013-0324-z#FigureTableTab
http://www.iht.rwth-aachen.de/research/photovoltaics/
http://news.pv-insider.com/concentrated-pv/cpv-news-brief-11-%E2%80%93-25-november-2014
Se
carico positivamente il semiconduttore p della giunzione pn, si
giunge alla conduzione per esempio nel transistore, mi chiedevo per
quale fenomeno fisico avvenisse, oggi mi sono dato la risposta: non è
il livello di conduzione del semiconduttore p che scende, ma il campo
elettrico indotto sul semiconduttore n che sale.
In
questa immagine si può vedere il vettore sovratensione, esso è
dovuto alla attrazione del semiconduttore nei confronti
dell'elettrone, questa sovratensione dovuta alla differenza di
attrazione dei due semiconduttori spiega la non conducibilità
della giunzione, ed è accentuata dal potenziale esterno
applicato sul semiconduttore.
C'è un campo statico
creato dall'attrazione dei semiconduttori che nel secondo
semiconduttore di valle che blocca l'aumento di densità
proveniente dal primo semiconduttore formando un muro di cariche di
potenziale che blocca la corrente negli strati successivi del
semiconduttore di valle. I campi elettrici modificano tutto
permettendo o non permettendo la conduzione. Perciò anche con
un potenziale di monte maggiore di quello di valle non è
possibile superare l'accumulo di cariche a valle se il semiconduttore
ha un campo elettrico che crea una densità di carica che fa da
blocco all'avanzamento delle cariche. Cioè le cariche meno
dense si oppongono alle cariche più dense avendo un potenziale
che si oppone, chi ci capisce è bravo.
Nel transistore fet il funzionamento del dispositivo è
individuato dalle differenze di potenziale tra le giunzioni, questo
significa che portando il semiconduttore per esempio a 10.000 volt
non cambia il punto di funzionamento della giunzione che è
solamente individuato dai potenziali tra le giunzioni.
Allo stesso
modo se il circuito del pannello fotovoltaico viene portato
interamente o in una sua parte a un potenziale diverso da quello di
funzionamento questo non ha influenza sul punto di funzionamento,
perché non interferisce con i potenziali tra le giunzioni. A
meno che il potenziale applicato come campo elettrico, non sia
applicato tra la giunzione, modificandone il punto di funzionamento.
Se l'onda supera il gap di conduzione il semiconduttore dovrebbe condurre ma in realtà il dispositivo fotovoltaico non conduce, questo fenomeno si può spiegare pensando alla giunzione come ad una valvola che equilibra i potenziali tra i compartimenti, al di sopra del potenziale di equilibrio, la corrente arriva in maniera impulsiva perché al di sopra del livello di equilibrio, questa corrente impulsiva contrasta con l'induzione del circuito che la blocca.
Provate questo se funziona allora di sicuro funziona anche
l'altro, penso che la differenza nel funzionamento sta tra potenziale
e campo elettrico.
Il semiconduttore di sotto di solito non
conduce in quel senso.
Questo esperimento è stato provato a basso potenziale e non funziona. Provare con un campo elettrico forte. Il problema è stato riscontrato nella mancanza del pinch off. Si può costruire un dispositivo che sfrutti il pinch off, facilmente immaginabile.
Il
dispositivo funziona per sovrapposizione degli effetti.
Nel
semiconduttore N si viene a creare un campo di carica nei due casi
che impedisce la conduzione della giunzione. Il primo proporzionale
alla corrente di base, il secondo al potenziale del gate.
Nel caso di sotto a
differenza del caso in considerazione 'il potenziale nel
semiconduttore di mezzo è nullo' perciò si forma una
barriera tra il canale e il contorno, cosa che non avviene quando il
dispositivo in esame è circondato da due semiconduttori,
allora il potenziale del semiconduttore di mezzo è uguale al
gap del canale.
Sul
pin body è possibile misurare il potenziale.
Se
fate passare della corrente dal body dovrebbe condurre.
In questa figura si vede che durante il funzionamento Vb è
diverso da 0 e in particolare é negativo.
Ad indicare che
non c'è nessuna barriera tra il canale e il restante
semiconduttore p-substrate.
Nel
secondo diagramma si osserva che decrementando la
tensione Vbs cioè il potenziale tra il polo
negativo con corrente in uscita del transistore e il pin body,
si ha un aumento della Id cioè la corrente in uscita al
transistore, si può pensare che diminuendo la barriera sul
canale, diminuendo il potenziale cioè aumentando la carica
negativa del body anche il transistore restituisce in uscita più
corrente.
